半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术58目录
001 制造薄膜半导体器件的方法及其形成抗蚀图的方法
002 用于图案细微化的涂膜形成剂和使用该形成剂形成细微图案的方法
003 交错相移掩模的制造方法
004 形成细微图案的方法
005 在硅基片上制造Si1-xGex
006 接触孔的形成方法
007 半导体器件的抬升源极/漏极的制造方法
008 机加工硅片的方法
009 减少蚀刻制作工艺期间微粒产生的方法
010 堆叠膜图案的形成方法
011 介电层的沉积方法
012 半导体器件的制造方法
013 半导体装置的制造方法
014 半导体器件内形成高压结的方法
015 给出具有高沟道密度的半导体器件的低成本方法
016 带子组合物以及低温共烧制陶瓷的抑制烧结方法
017 制作半导体器件和其中所用耐热压敏粘结带的方法
018 半导体器件及其制造方法
019 半导体装置的制造方法
020 树脂接合用焊台及焊头
021 标记位置检测装置和标记位置检测方法
022 浅沟渠隔离区的制造方法
023 用于集成电路上的芯片间晶片级信号传输方法
024 在金属间介电层构成图形的方法
025 电子器件及其制造方法
026 制造半导体器件接触插塞的方法
027 用于宽编程的双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元
028 集成电路阵列结构的制造方法
029 制造半导体装置的方法
030 绝缘衬底上制备高质量半导体晶体薄膜的方法
031 一种纳米级蓝宝石衬底的加工方法及其专用抛光液
032 用于装配电子零件的薄膜承载带
033 半导体器件和制造半导体器件的方法
034 散热增益型导线架
035 形成熔通借孔结构的方法
036 半导体器件
037 用于多电源的标准单元及其相关技术
038 具有铜熔丝的半导体结构及其形成方法
039 半导体器件及其制造方法
040 保护电路
041 功率半导体装置
042 用于保护外部程序代码的控制系统
043 集成电路存储设备
044 光互联集成电路、光互联集成电路的制造方法、光电装置以及电子仪器
045 一种集成电路装置及制造集成电路装置的方法
046 半导体集成电路
047 半导体装置
048 半导体集成电路装置
049 容量元件及其制造方法
050 半导体集成电路及其制造方法
051 半导体装置及其制造方法
052 存储器的存储装置
053 存储装置
054 半导体存储器件
055 半导体存储器件以及半导体器件
056 嵌入式电力可编程只读存储器
057 可消除像素噪声的对数极式互补式金氧半导体影像传感器
058 电流放大的对数极式互补金氧半导体影像传感器
059 半导体器件
060 半导体器件及其制备方法
061 具有硅氧化膜的半导体装置
062 半导体器件及其制造方法
063 半导体器件及其制造方法
064 薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法
065 太阳电池模块的再生方法及太阳电池模块
066 光电转换元件
067 一种颗粒硅带的制备方法及其专用设备
068 含有绿色有机发光二极管的装置
069 半导体制造装置用的控制器模块
070 形成开口图案的方法及其应用
071 应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺
072 曝光条件确定系统
073 处理溶液施用方法
074 图形形成方法
075 半导体衬底的制造方法和半导体器件的制造方法
076 用于切割玻璃基板的粘着片及切割玻璃基板的方法
077 微半导体元件的制造方法
078 在图案化材料上形成高分子层的方法
079 制造具有氧化硅/氮化硅/氧化硅层的半导体组件的方法
080 在低温下氧化硅片的方法和用于该方法的装置
081 低温下使硅晶片氧化的方法及其使用的设备
082 激光退火装置和激光薄膜形成装置
083 具有多个凸块的基片、凸块形成方法及将基片彼此结合的方法
084 介层窗偏移侦测装置
085 监控离子植入于半导体基材的方法与系统
086 接触子块及电气连接装置
087 电容值测定方法
088 具有降低封装测试时间的半导体存储装置
089 确定背栅特性的方法和装置
090 半导体器件及其测试方法
091 检测晶片阶段缺陷的方法
092 含绝缘体的半导体装置及其制造方法
093 半导体器件及其制造方法
094 制作具有埋藏导线的半导体元件的方法
095 制作热熔丝的方法
096 多孔电介质中嵌刻铜结构的制成方法
097 防止化学机械抛光中的凹陷和侵蚀的半导体器件制造方法
098 制造具有多层布线的半导体器件的方法
099 在硅基板中插塞通孔的方法
100 布线结构的形成方法
101 半导体器件的制造方法和半导体器件
102 电容器的制造方法
103 半导体器件的电容器的制造方法
104 半导体器件及其制造方法
105 半导体装置及其制造方法
106 半导体器件中电容器的形成方法
107 改良型掩膜式只读存储器工艺与元件
108 半导体器件
109 一种多晶粒封装结构
110 半导体器件及其制造方法
111 多层电路板、多层电路板的制造工艺、用于多层电路的板以及电子装置
112 电极的恢复处理方法
113 导热片材及其制造方法
114 电子设备
115 适应集成电路小形化趋势的导线架
116 半导体器件、半导体封装以及用于测试半导体器件的方法
117 半导体器件及其制造方法
118 具有多层铜线路层的半导体器件及其制造方法
119 半导体集成电路
120 半导体器件及其制造方法
121 碳纳米管半加器及其制备工艺
122 半导体集成电路、信号传输装置、光电装置和电子仪器
123 一种可具有极性的集成电容
124 半导体集成电路器件
125 可在室温下工作的单电子存储器及制备方法
126 具有高集成度的单电子存储器及其制备方法
127 存储器件及其驱动方法
128 存储结构和制造该存储结构的方法
129 半导体存储器
130 具有数据总线系统以降低高频噪声的半导体存储器
131 非易失性半导体存储器
132 半导体存储器
133 具有氧化阻挡层的电容器及其制造方法
134 提高抗软错误性的半导体存储器
135 不连续的氮化物只读存储器存储单元的结构
136 半导体装置及其制造方法
137 含光探测器和旁路装置的图像传感器及其制法
138 具有可变参数的功率半导体
139 薄膜半导体器件及其制造方法和图像显示装置
140 一种感光二极管的光感测区的制作方法及其结构
141 发光二极管装置的透光层及其制作方法
142 具有欧姆接触的半导体装置及其制造方法
143 半导体晶片、半导体装置及其制造方法
144 一种利用金属阴极溅射的有机发光器件结构
145 可重复使用的晶圆控片及其形成方法
146 缩小制程的解析周期的方法
147 共晶焊背面金属化工艺
148 金属电浆蚀刻后的晶圆清洗方法
149 用于研磨机台的晶圆压力调整系统
150 具有伸张应变的信道层的场效晶体管结构及其制造方法
151 改善临近效应的源漏结构制作方法
152 金氧半导体晶体管的制造方法
153 半导体封装方法
154 开窗型导线架式半导体封装结构及制造过程
155 防止焊垫氟化的晶片储存方法及晶片储存运送装置
156 封装栅格阵列元件的改进工艺
157 用于清洁探针板接点的设备与方法
158 预烧测试静态随机存取存储器的方法及装置
159 直接计算金氧半场效晶体管界面缺陷量的方法
160 一种高速信元传输的实现方法
161 一种整合高压元件制程及混合信号元件制程的方法
162 无阻障层且具有多层种子层的内连线工艺与结构
163 修正凸块轮廓的方法
164 在衬底上制备空气桥的方法
165 形成铜金属线的方法
166 形成多层导电线的方法
167 利用微晶硅膜作为浮置闸以促进快闪式存储器性能的方法
168 多位存储单元及其制造方法
169 Y方向自对准的罩幕式只读存储器的制造方法
170 罩幕式只读存储器的制造方法
171 罩幕式只读存储器的制造方法
172 四方形平面无管脚式半导体封装结构及制造方法
173 用以缩短打线长度的半导体封装件
174 芯片座具开孔的半导体封装件及其制造方法
175 半导体芯片承载件,半导体封装件及半导体封装方法
176 芯片座具凹部的半导体封装件
177 铝铜接合散热片及其制造方法
178 可控制溃缩量的导线架及具备该导线架的覆晶型半导体封装件
179 防止管脚短路的导线架及具有该导线架的半导体封装件的制法
180 以导线架为芯片承载件的覆晶式半导体封装件
181 球栅阵列半导体封装件
182 金属垫与接合垫区的结构
183 双极性输入垫的静电放电保护装置及方法
184 静电放电保护装置
185 覆晶封装集成电路的静电放电保护机制及具有静电放电保护机制的晶片
186 一种半导体封装件及其制法
187 具有向下延伸支脚的芯片承载件的多芯片半导体封装件
188 多芯片半导体封装件及其制法
189 碳纳米管式集成场效应管及其制备工艺
190 碳纳米管“或否”逻辑器件
191 碳纳米管逻辑“或”门器件及其制备方法
192 利用碳纳米管制作的逻辑“非”门器件
193 利用碳纳米管制作的随机存储器及制备方法
194 具有单壁碳纳米管结构的“与”门逻辑器件及其制作方法
195 埋入式位线的结构及其制造方法
196 非易失性存储单元及其制造方法
197 具有电容器的半导体器件
198 可抹除可编程只读存储器的结构
199 分离栅极式快闪存储器及其制造方法
200 双载子晶体管及其制造方法
201 具有颈状信道的场效晶体管及其制造方法
202 一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法
203 子母型发光二极管的封装结构及方法
204 防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法
205 发光二极管的封装成型方法及成品结构
206 宽温度范围稀土超磁致伸缩材料
207 一种新型稀土超磁致伸缩材料及制备方法
208 源极侧边植入硼以减少沟道掺杂的深次0.18微米闪存单元
209 倒装片衬底设计
210 用于倒装式结合在有焊料凸块晶片上预底填料的溶剂辅助抛光
211 包含具有埋置电容器的衬底的电子组装件及其制造方法
212 包括具有嵌入式电容器的内插器的电子装置及其制作方法
213 半导体元件及其制造方法
214 发光二极管模块
215 半导体器件及其制作方法
216 具有高击穿电压的立式元件
217 在透明或半透明衬底上形成的半导体发光元件
218 晶体管和包括晶体管的显示器
219 平面双端开关

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