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半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术46
001
固体摄像装置及其制造方法
002 半导体器件的结构及其制造方法
003 包括氮化层的半导体器件
004 半导体器件及其制造方法
005 硅纳米线阵列太阳能转换装置
006 发光二极管封装结构及其方法
007
氮化物基的半导体发光器件及其制造方法
008
半导体发光元件，其制造方法及安装方法
009 磁性隧道结器件及存储器阵列
010
硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法
011 有机半导体器件
012 剥离方法
013 晶片的制造方法和粘接带
014 用于去除微粒的装置
015
一种修正线型薄膜层末端紧缩效应的方法
016
光掩模、光掩模的制造方法和电子元件的制造方法
017
激光光源控制法及其装置、曝光法及其设备和器件制造法
018 制造薄膜晶体管的方法
019
利用高能量全面离子植入法的硅晶圆去疵方法
020 半导体器件的制造方法和退火装置
021 快速能量传输回火装置及方法
022 液相外延制备铁电厚膜的方法
023 噪声屏蔽型多层衬底及其制造方法
024 半导体功率元件装置及其封装方法
025 半导体芯片安装设备和安装方法
026
用于在电线端部形成线球的带有电极的装置
027 结晶薄膜品质监控系统及方法
028 集成电路的商标位置检测装置
029
测试光掩模、光斑评估方法以及光斑补偿方法
030 带有整体式力传感器的夹紧元件
031
一种分割一半导体集成电路图案的方法
032
同层形成上层熔丝的半导体及其制造方法
033 接触窗的制造方法
034 在半导体器件中形成铜引线的方法
035
抑制分闸快闪存储单元位元线漏电流的方法
036
形成屏蔽式只读存储器中的金属硅化物的方法
037 屏蔽式只读存储器的制造方法
038
可应用自动对准金属硅化物的屏蔽式只读存储器的制造方法
039
自行对准编码的罩幕式只读存储器的制造方法
040
一种返工救回集成电路组件的作业方法
041 晶片封装基板
042
冷却装置、电子设备、显示单元和生产冷却装置的方法
043
冷却装置、电子设备和音响设备、及制造冷却装置的方法
044 具有吸附式制冷机的冷却系统
045
电路元件，电路元件组件，电路元件内置模块及其制造方法
046 形成半导体器件及其结构的方法
047 超薄堆叠构装元件
048 半导体装置
049
半导体装置及其制造方法、光电装置和电子仪器
050 半导体集成电路
051
组合静态随机存取存储器和掩模只读存储器存储单元
052
具有在存储单元上方形成的信号布线线路的半导体存储器件
053
半导体存储器件及使用侧壁间隔层的半导体存储器件的制造方法
054
基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器及制法
055
具有存储区域和外围区域的半导体存储器件及其制造方法
056
非易失性静态随机存取存储器存储单元
057
沟槽式屏蔽只读存储器存储单元的构造及其制造方法
058
影像感测器微透镜组、影像感测器及其制造方法
059 固体摄像元件
060 半导体器件及其制造方法
061 太阳电池自动封装机构
062
半导体器件及包括该半导体器件的光学器件
063 有机发光二极管显示器
064 有机发光二极管的制造方法
065
改善有机发光二极管的阳极表面粗糙度的方法
066 发光器件
067 发光二极管光出射侧的P电极结构
068 一种硅纳米线的制作方法
069 形成半导体器件的方法及其结构
070
具有自对准节接触孔的半导体器件及其制造方法
071 一种P型Ⅲ族氮化物材料的制作方法
072 金属层间介电结构
073 减少铜导线龟裂与变形的方法
074 全自动对准工艺制备晶体管的方法
075
倒装片组装的底层填充封胶处理及其装置
076
引线键合方法以及凸点形成方法和凸点
077 压焊方法和压焊装置
078
简易升级型高容量式半导体晶片测试装置
079 半导体晶体基片的评价方法
080 同心圆对准装置
081 半导体组件中电容器的制备方法
082
半导体集成电路器件的设计方法及设计装置
083 氮化硅只读存储元件的操作方法
084 散热器及其制作方法
085
一种适应于高热流均温散热的换热技术
086 半导体器件
087 集成电路和分层引线框封装
088 具有金属-金属电容器的集成电路的结构及其形成方法
089
半导体存储元件及其操作方法以及半导体内存数组
090
非破坏性读出铁电不挥发多态数据存储方式及其存储单元
091 非易失半导体存储装置
092
以库仑阻塞原理设计的单电子存储器及其制备方法
093
具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件
094 新型金属半导体场效应晶体管(MESFET)器件及其制造工艺
095 发电系统和发电装置
096
表面黏着发光二极管的封装结构及其制造方法
097 发光二极管结构
098 一种制作白光发光二极管的方法
099 表面发射型发光二极管及其制造方法
100 发光元件及其制造方法
101
层叠型压电部件的制造方法及层叠型压电部件
102
半导体结构及形成具有缩小间距的晶体管的方法
103
清除聚合物的方法以及用于清除聚合物的装置
104 在半导体基底上形成光阻层的方法
105
半导体器件的图案形成方法及半导体器件
106
图形转印用光掩模的图形布局方法及图形转印用光掩模
107
缩小导体图案的间距的方法及使用此方法形成的结构
108 制备深亚微米栅的方法
109 半导体器件的制造方法
110
高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法
111
高介电系数栅电介质材料铝酸铪薄膜及其制备方法
112 形成凹陷式源极/漏极接面的半导体元件的方法
113
增进晶圆清洗效率与改善工艺合格率的方法
114 化学机械研磨设备
115 半导体器件及其制造方法
116 半导体器件的制造方法
117
制造具有双重间隔壁半导体器件的方法
118
形成硅化钴的方法和装置组及具有该硅化钴的半导体元件
119 硅高速半导体开关器件制造方法
120 半导体装置及其制造方法
121
栅极结构与主动区的重叠偏移量的测量方法
122
引线框架、使用了它的半导体器件的制造方法
123
半导体器件处理机中的测试温度偏差补偿装置
124
用于半导体器件处理机的具有载体组件的测试托盘
125 形成接触窗的方法
126
集成电路，系统开发方法，和数据处理方法
127 氮化硅只读存储器的制造方法
128 闪存元件的制造方法
129 半导体封装件用插座
130 用于半导体器件的插座
131 共用片上去耦电容器和散热器
132 微射流阵列冷却热沉
133 半导体封装制造方法及其封装件
134 半导体器件及其制造方法
135 半导体器件和半导体器件的制造方法
136 半导体装置与半导体装置的制造方法
137 半导体器件
138 半导体装置
139 静电放电保护元件
140 模块式三次元芯片层叠构装
141 半导体存储模件
142 并行光互连集成电路芯片
143 半导体存储器
144 半导体器件
145 固体摄像装置及其制造方法
146 半导体器件及其制造方法
147 半导体器件及其制造方法
148
多层电池、特别是液晶显示电池或电化学光电池
149 用于制造太阳能电池的纤维和窄带材
150 提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法
151 光电元件部件
152 半导体发光器件
153 高温超导材料本征结的制备方法
154
压电元件、喷墨头、角速度传感器及其制法、喷墨式记录装置
155
两种或两种以上有机分子构成的有机半导体及其加工方法
156 接触孔图案化用的明场图像反转
157 曝光设备、曝光法及器件制造法
158
膜评价方法、温度测定方法及半导体装置的制造方法
159
具有防湿结构的密封管芯封装上的直接组合层
160 基板和制造该基板的方法
161 高频模件板装置
162
减少微电子封装中芯片拐角和边缘应力的结构与工艺
163
具有破解保护的集成电路配置及制造该配置的方法
164 模块部件
165 半导体器件的制造
166 半导体装置和通信系统用机器
167 半导体器件及其制造方法
168 发光装置及其制造方法
169
半导体发光元件、图像显示装置及照明装置及其制造方法
170 氮化物半导体器件及其制造方法
171 用于半导体制造装置的控制系统
172 用于提高光刻胶附着的无定形碳层
173
半导体制造装置的净化方法和半导体器件的制造方法
174 基片缺陷修补装置
175 用于P-型SiC的电极
176 用于第Ⅲ族氮化物化合物半导体器件的n-电极
177 基片加工方法
178 抛光布,抛光装置和半导体设备的制备方法
179 用于制造互连结构的方法和装置
180 半导体晶片检查设备
181 制造含有粘接于-目标基片上的-薄层的-叠置结构的方法
182
具有改进的静电放电耐压的半导体装置
183 具有无镓层的III族氮化物发光器件
184 辐射芯片
185 压电执行元件
186
电阻加热一热处理系统用的装置和方法
187 具有高介电常数材料的半导体结构
188 光学单元、曝光设备和器件制造法
189 半导体装置的制造方法
190
集成电路电感器结构以及非破坏性蚀刻深度测量
191 具有开凹槽的栅极的FET及其制造方法
192 硅中浅槽隔离层的形成方法
193
一种用于改善对静电放电断电的保护的带有可变宽度金属条的二极管
194
经降低线间电容及串话噪声的半导体器件
195 包含有机层的发光元件
196 聚合物设备的固态压花
197 高电压自定位MOS元件的集成
198
研磨状况监视方法及其装置、研磨装置、半导体器件制造方法、以及半导体器件
199 研磨装置及半导体器件的制造方法
200 在衬底中的大高宽比部件的蚀刻
201 源侧硼注入的非易失存储器
202
双扩散型金氧半导体晶体管的制造方法
203 电子线路装置及其制造方法
204 纳米电子器件
205 半导体器件及其制造方法
206 GaN基的半导体元件的制造方法
207
光电子元件及其制造方法、具有许多光电子元件的组件和具有这样一个组件的装置
208 在Ⅲ-V族氮化物半导体基板上制作产生辐射的半导体芯片的方法以及产生辐射的...
209 压电功能部件及其制造方法
210 半导体制程机台
211 半导体装置的制造方法
212
图形形成材料、水溶性材料及图形形成方法
213 形成凹槽栅极轮廓的方法
214 形成接触孔的方法
215
利用复合控制模式的研浆流量控制方法及系统
216 介电层的制造方法
217 定义氧化硅/氮化硅/氧化硅介电层的方法
218 半导体存储器件及其制造方法
219 激光处理方法
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