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半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术44
001 半导体集成电路器件
002 螺旋电感内含垂直电容的结构
003
采用碳纳米管的存储器件及其制造方法
004
非易失性存储器单元与非易失性存储器阵列及其操作方法
005
无接触区形成于存储单元区的分栅快闪存储单元阵列结构
006 紫外线程序化的P型罩幕式只读存储器及其制造方法
007 半导体装置
008
形成半导体存储器阵列的方法及由此制造的存储器阵列
009 半导体器件及其制法、SOI衬底及其制法和其显示器件
010 半导体装置及其制造方法
011
影像传感器封装结构及应用该影像传感器的影像撷取模块
012
半导体器件及其制造方法和功率放大器模块
013
一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法
014
具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构及其形成方法
015 SOI金氧半场效电晶体
016 一种新的栅介质堆层结构
017
一种垂直型大功率场效应晶体管单元结构
018 半导体器件和半导体器件的制造方法
019
半导体元件及使用该半导体元件的显示器件
020 应用于MOS场效应管的栅电介质材料铝酸锆薄膜及其制法
021 应用于MOS场效应管的栅电介质材料氮铝酸锆薄膜及制法
022 薄膜晶体管
023 用于太阳能电池模块的终端盒装置
024 复合太阳能电池组
025 半导体显示器件
026
制显示器的方法和装置与该方法所用基片和显示器
027 半导体发光元件及其制造方法
028 温度检测元件以及装备它的电路基板
029
压电变压器器件、压电变压器外壳及其制造方法
030 高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺
031
一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法
032 一种减小霍尔器件失调电压的方法
033
制造适合于图象传感器的半导体装置的方法
034
外延涂覆半导体晶片的方法及装置、以及外延涂覆的半导体晶片
035 多层式电介质抗反射层及其形成方法
036
用于测量多层重叠对准精确度的重叠游标图案及测量方法
037
成膜方法及使用该方法制造的器件、和器件的制造方法
038 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
039
半导体制造装置、半导体制造系统和衬底处理方法
040
功率半导体装置的闸极垫保护结构及其制造方法
041 凸块及胶料层制造方法
042 单片式芯片清洗装置
043 清洗等离子加工装置的方法
044 电浆处理装置
045
低顺向电压降肖特基屏蔽二极管及其制造方法
046 一种晶圆型态封装及其制作方法
047 离散式电路元件的制作方法
048 微电子电路的空腔型封装方法
049
多重金属层内连线结构及测试金属层间介电层强度的方法
050
探测装置，半导体装置的检验装置及检验方法
051
半导体器件和提供低衬底电容区域的方法
052 浅沟隔离半导体及其制造
053
含低介电常数绝缘膜的半导体装置的制造方法
054 半导体集成电路
055 半导体器件及其制造方法
056 增加耦合率的快闪存储器制造方法
057 用于集成电路芯片的冷却系统
058 带有蛇形缝隙式散热片的散热设备
059 半导体器件及其制造方法
060 具有非氧化铜线的半导体封装
061 芯片比例封装及其制造方法
062 芯片比例封装及其制造方法
063 芯片比例封装及其制造方法
064 半导体装置及其制造方法
065
半导体器件及其制造方法以及相移掩膜
066 静电放电防护电路
067 静电放电防护电路
068
轻薄叠层封装半导体器件及其制造工艺
069 半导体器件及其制作方法
070 半导体器件及其制造方法
071 半导体装置及其制造方法
072 半导体器件及其制造方法
073 半导体器件
074
具有保护二极管的氮化硅只读存储器结构及其操作方法
075 非挥发性内存及其制造方法
076 集成电路器件的安装构造和安装方法
077 半导体器件及其制造方法
078
具位於主动胞元阵列外的屏蔽电极和较小闸极-汲极电容的电晶体排列
079 顶栅型薄膜晶体管
080 结势垒控制肖特基二极管终端及方法
081 ZnMgSSe系正-本-负光电二极管以及ZnMgSSe系雪崩二极管
082 光发电装置及其制造方法
083 光电器件及光电器件的制造方法
084
极性反置红外发光二极管的功率发射效能提升元件及制法
085 一种向四周发光均匀的发光二极管
086 半导体发光芯片及半导体发光器件
087 半导体发光装置
088
薄膜压电元件及其制造方法和使用该压电元件的执行元件
089 一种非对称驱动型压电陶瓷变压器
090 一种酞菁薄膜的制备方法
091 半导体片表面修整的方法
092
用硅质材料封埋微细沟的方法和带硅质膜的衬底材料
093
晶片背面的晶粒黏接材料的预先使用方法及封装组件
094 将散热片夹紧在电路板的处理器上
095 半导体器件及其制造方法
096
具有温度补偿的单电源异质结场效应晶体管
097 彩色太阳能电池单元
098 第III族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法
099
用于测量装置的压电陶瓷多层元件及其制造方法
100 对基体进行热处理
101
微电子装置制造中用于有机聚合物电介质的硬面层的有机硅酸盐树脂
102 功率MOSFET及利用自对准体注入制作其的方法
103 辐射源和用于制造透镜模的方法
104 带有多个发光二极管芯片的元件
105 在半导体衬底上制造无源元件的方法
106 硅内沟道结构底部的厚氧化层
107 功率MOSFET及其形成和工作方法
108 薄膜结构体的制造方法
109
将金属接点沉积在埋栅太阳能电池上的方法及由该方法获得的太阳能电池
110 半导体发光器件及其制造工艺
111 半导体芯片及其制造方法
112
解决与蚀刻沟道过程有关的光学边缘效应的器件与方法
113 用于有机硅酸盐玻璃的低K蚀刻应用中的蚀刻后由氢进行的光刻胶剥离
114
半导体基板上形成前金属电介质薄膜的方法
115
具有低介电常数的多孔硅质膜和半导体装置及涂料组合物
116 施行最后临界尺寸控制的方法及装置
117
在有机硅酸盐玻璃中腐蚀双波纹结构的方法
118 在具有双层位线的硅绝缘体(SOI)衬底上构造的DRAM
119
发动机驱动发电机的整流器组件中二极管部件的制造方法
120 半导体集成电路器件
121
包括可焊热界面的电子组件及其制造方法
122
塑料封装基底、气腔型封装及其制造方法
123 RC定时器方案
124 半导体器件及其制造方法
125 半导体集成电路器件及其制造方法
126
带放大栅极氧化物完整结构的半导体沟槽器件
127
在含有非氮化镓柱体的基板上制造氮化镓半导体层,并由此制造氮化镓半导体结构...
128 处理装置运转的监视方法
129
磁控管等离子体用磁场发生装置、使用该磁场发生装置的等离子体蚀刻装置和方法
130
相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂,其使用方法...
131 改进的氟掺杂二氧化硅薄膜
132 改进的倒装芯片连接封装
133
成形弹簧以及制造和使用成形弹簧的方法
134 平面混合式二极管整流桥
135 自旋偏振载流子转移的方法和设备
136 基片处理装置及处理方法
137
低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺
138 用于输入/输出的球限定冶金结构及其制造方法
139 耐振动冲击的散热器组件
140 电子元件及其制造方法
141 存储单元,存储单元装置和制造方法
142
薄膜结构体及其制法以及加速传感器及其制法
143 产生辐射的半导体芯片和发光二极管
144 包括-需要电极化的热电物质层的热释传感器的制造方法
145 用于FIMS系统的装箱接口设备
146 薄膜半导体器件及其制造方法
147
半导体薄膜及半导体装置的制造方法、半导体装置、集成电路、电光学装置及电子...
148 具有可移动的百叶窗挡板的反应器
149 高速低功率半导体存储器结构
150 散热片及其制造方法
151 集成芯体微电子封装
152 半导体器件及其制造方法
153 电源模块及空调机
154 有机电致发光装置及其制造方法
155 电致发光装置
156 集成电路
157 模拟?数字混装集成电路
158 贴合晶片的制造方法
159 固体成像器件的制造方法
160 使用LED的发光装置
161 制造高温超导体的方法
162 清洗方法和腐蚀方法
163 等离子体处理装置及排气环
164
布线方法和利用该方法的器件布置方法、以及图象显示装置的制造方法
165 贴合基板的制造方法
166
在碳化硅中制造双极结晶体管的方法和得到的器件
167 使用LED芯片的发光装置
168 显示装置及其制造方法
169
包含一个有低硫酸根和高金属离子含量的导电透明聚合物层的发光二极管(LED...
170 成像特性的测量方法和曝光方法
171 一种薄膜晶体管的制造方法
172 一种自动对准光屏蔽层的薄膜晶体管
173 半导体器件的制造方法
174 评估基于核的系统集成芯片(SoC)的方法及实现该方法的SoC的结构
175 电源电路装置
176 电致发光器件及其制造方法
177 非易失性存储器单元阵列和形成方法
178 半导体装置及其制造方法
179 包含薄膜晶体管的电子器件
180
薄膜晶体管及有源矩阵型显示装置及其制造方法
181 薄膜结构体的制造方法
182 发光材料和有机发光器件
183 图形加工方法
184
半导体元件用导电性薄膜、半导体元件及它们的制造方法
185 电解处理装置和衬底处理设备
186
微波等离子体处理装置、等离子体处理方法以及微波发射部件
187
掺杂氮的退火晶片的制造方法以及掺杂氮的退火晶片
188 制造电子器件的方法
189 半导体装置及其制造方法
190 构图方法
191
制备各向异性晶体膜的方法及实施该方法的装置
192 半导体器件的制造装置和制造系统
193 氮化物半导体器件及其制造方法
194 等离子体处理装置
195 等离子体处理装置
196 等离子体处理装置
197
等离子体处理装置、等离子体处理方法和滞波板
198
等离子体处理装置以及半导体制造装置
199
有助于残留物去除的各向同性电阻器保护蚀刻
200
具有小回路高度的接线连接的片状模块
201 电子器件用封装体及其制造方法
202 散热型BGA封装及其制造方法
203 LED灯
204 显示装置
205 半导体器件,半导体层及其生产方法
206 半导体器件及其制造方法
207 包括薄膜晶体管的电子器件及其制造
208 具有柔性衬底的矩阵阵列器件
209
半导体发光器件及其制造方法、以及电极层连接结构
210 薄膜
211 半导体设备和其制造方法
212 三维立体掩膜
213 无铬相移掩膜及使用该掩膜的设备
214
涂敷型成膜方法、涂敷型成膜装置及半导体装置的制造方法
215 液膜形成方法及固体膜的形成方法
216
用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法
217
以单一晶片制程制作一闸极介电层的方法
218 基板处理装置
219
研磨半导体晶片的复合研磨垫及其制作方法
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