001
掩模图形形成方法、计算机程序产品和光掩模制作方法
002 一种高介电栅堆层结构
003
一种用于扩散、氧化工艺的单步清洗方法
004
硅半导体晶片及制造多个半导体晶片的方法
005
一种含硅低介电常数材料炉子固化工艺
006
一种含硅低介电常数材料的干法刻蚀工艺
007 一种含硅低介电材料刻蚀工艺
008 半导体晶片的热处理方法
009
半导体元件及系统、晶片、晶片的用途及其测量方法
010 适用于集成电路芯片的信号检测方法
011 数字图像缩放集成电路的设计方法
012 剂量-能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料
013
增加接地平面电连接通路的格状阵列封装体及封装方法
014
金属布线基板和半导体装置及其制造方法
015 半导体器件及其制造方法
016 半导体装置及其制造方法
017 电子器件
018
消除二极管间相互影响的检测方法和装置
019 半导体装置及其制造方法
020 多频带功率放大器
021
利用相变引起的阻值变化进行编程的可编程元件
022 半导体存储装置
023
具有氮化物穿隧层的非挥发性内存的结构
024
压敏粘结剂在焦平面器件铟珠制备中剥离多余铟层的用途
025 半导体装置及其制造方法
026 内置保护P型高压金属氧化物半导体管
027 内置保护N型高压金属氧化物半导体管
028 横向缓冲P型金属氧化物半导体管
029
具有存储多个字节的存储单元的半导体存储器及其制造方法
030 短波长的发光二极管封装方法
031
氮化物基化合物半导体发光元件及其制造方法
032 发光二极管器件
033
用于生产有机发光二极管器件将多个掩模段对准以提供组装的掩模
034
以氮化物为基础的半导体发光器件及其制造方法
035
允许由给体转移有机材料以便在有机发光二极管器件内形成层的设备
036
检测二氧化碳的半导体传感器气敏元件的制造方法
037
检测二氧化氮的半导体传感器气敏元件的制造方法
038 生产Ⅲ族氮化物半导体装置的方法
039
监视设备、监视方法、抛光装置和半导体晶片的制造方法
040 半导体器件及其制作方法
041
电路连接用粘接剂、使用其的电路连接方法及电路连接结构体
042 闪存技术和LOCOS/STI隔离的氮化隧道氧化物的氮化障壁
043
沉积金属薄膜的方法和包括超临界干燥/清洁组件的金属沉积组合工具
044 导体基片结构的校准方法
045 导电互连
046 个体化硬件
047 用于集成电路的有源封装
048 互连线路设备和方法
049
带有压电微驱动机构的磁头弹簧片组件
050 经溶液加工的器件
051 溶液加工
052 形成互连
053 喷墨制作的集成电路
054
高能体供给装置、结晶性膜的形成方法和薄膜电子装置的制造方法
055 衬底处理系统
056 半导体装置的制造方法
057
微细结构体的干燥方法及通过该方法得到的微细结构体
058 感应耦合式等离子体装置
059 存储器的浮动闸极的形成方法
060
化学气相法淀积氮化钛和铜金属层大马士革工艺
061 用于制造半导体功率器件的方法
062 晶圆的清洗液成分及其清洗方法
063 在单一反应室中形成氧化层-氮化层-氧化层的方法
064
利用原子层沉积法形成氮化硅间隙壁的方法
065 金属线路铜背端的渐层式阻障层
066
监测自行对准硅化物残留的测试窗结构
067 形成嵌合式非挥发性存储器的方法
068
应用于金属铁电氧化物和硅单管单元存储器的具有钛缓冲层的高-k栅氧化物
069
具有自对准触点半导体器件的制造方法
070 晶片封装基板
半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术38目录
001 半导体器件
002 半导体装置及其制造方法
003
导线架带和制造使用导线架带的半导体封装的方法
004 集成电路封装装置及其制造方法
005 在低K互连上集成电线焊接的熔丝结构及其制造方法
006 双层硅碳化合物阻障层
007 多晶硅界定阶跃恢复器件
008
具有将电源电压转换为工作电压的降压电路的半导体装置
009
半导体元件、电路、显示器件和发光器件
010 跨导基本上恒定的电路
011 堆迭式闸极快闪记忆元件
012
具有氮化物穿隧层的非挥发性破碎器的编程以及抹除方法
013
电光器件、液晶器件和投射型显示装置
014 半导体存储器及其制造方法
015 半导体元件的结构及其制造方法
016
周期性波导结构半导体光电探测器及制作方法
017 显示元件的封装结构及其封装方法
018
用于改善衬底烘烤均匀性的可变表面热板
019 半导体制造系统及其控制方法
020
在基体或块体特别是由半导体材料制成的基体或块体中切制出至少一个薄层的方法
021
具有三维载体安装集成电路封装阵列的电子模块
022
具有双栅极结构的沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管
023
膜形成装置和膜形成方法以及清洁方法
024
利用多孔性材料实现陶瓷基板表面平坦化的方法
025 检测光罩机台修正精确度的方法
026 半导体装置及其制造方法
027 晶圆清洗装置及其刷洗总成
028 保护带条的粘贴和分离方法
029
去除焊垫窗口蚀刻后残留聚合物的方法
030 半导体晶圆的热氧化制作工艺
031 氧化硅膜制作方法
032 一种金属双镶嵌的制造方法
033 基底铜层的磨光方法
034 闪光辐射装置与光加热装置
035 制造半导体组件的方法
036 一种具有散热片的半导体封装
037
半导体器件及其制造方法、电路基板及电子装置
038 自动对准形成锡凸块的方法
039
在半导体治具板上建立新参考地平面的装置
040 浅沟渠隔离的制造方法
041 半导体元件的元件隔离膜的形成方法
042 内金属介电层的整合制造方法
043 内连线的形成方法
044
使用氧化线层作为介电阻挡层的双镶嵌制程
045 积体电路的双镶嵌结构的制作方法
046 半导体器件及其制造方法
047 布线结构的形成方法
048 布线结构的形成方法
049 布线结构的形成方法
050 氮化硅内存的制造方法
051 晶体管形成方法
052 制造闪存单元的方法
053
用于提高刷新特性的半导体元件的制造方法
054 掩膜只读存储器的制造方法
055 模块壳体和功率半导体模块
056 半导体模块及其制造方法
057
基片或芯片输入输出接点上金属凸块结构及其制造方法
058 半导体装置及其制法
059 半导体装置及其制造方法
060 半导体装置及其制造方法
061 半导体器件
062 半导体芯片的封装件
063 静电防护电路
064 电路装置
065 电平变换电路
066 电荷泵装置
067 半导体装置
068 电荷泵装置
069 半导体装置及其制造方法
070 半导体装置及其制造方法
071 半导体器件
072 半导体集成电路
073
在单个存储单元中存储多值数据的非易失性半导体存储器
074
光器件及其制造方法、光模件、电路基板以及电子机器
075
发光装置、制造发光装置的方法、及其制造设备
076
假同晶高电子迁移率晶体管功率器件及其制造方法
077 可对象限Q4和Q1响应的双向静态开关
078
功率金属氧化物半导体场效晶体管装置及其制造方法
079 半导体装置和半导体装置制造系统
080 制造OLED装置的原位真空方法
081 热电模块
082 磁阻元件
083
用于在碳化硅中形成通孔的方法以及所获得的器件和电路
084 用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件
085 Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件及其制造方法
086 基底噪声分配方法
087
处理装置及其维护方法、处理装置部件的装配机构及其装配方法、锁定机构及其锁...
088 低相对介电常数的SiOx膜、制造方法和使用它的半导体装置
089 非易失性存储单元的均匀位线交连
090 组件中的嵌入式电容部件
091 载流子提取晶体管
092 制造电极的蚀刻方法
093 压电-弯曲换能器及其应用
094 压电弯曲变换器及其使用
095 封装的微电子器件
096 线上激光晶圆承座清洁装置
097 具有多次照射步骤的微影制程
098 形成半导体器件的薄膜的方法
099 利用铝的防止铜扩散膜的形成方法
100 匹配电路和等离子加工装置
101 半导体器件及其制造方法
102 避免尖峰现象的方法
103 适用于PLCC型封装电路的分离器
104 层叠芯片封装件的制造方法
105
栅状数组封装的插脚表面粘着的制作方法
106 焊接方法以及焊接装置
107
具有散热布线设计的集成电路封装装置
108 检测图案缺陷过程的方法
109
识别半导体器件测试处理机中器件传送系统的工作位置的装置和方法
110 离子照射装置
111 集成制造高压元件与低压元件的方法
112
浅沟隔离制程的含有氮元素的氧化硅衬层的制造方法
113 槽型元件分离结构
114 内金属介电层的制作方法
115 布线结构的形成方法
116 半导体器件内形成铜引线的方法
117 非挥发性存储器结构及其制造方法
118 设计系统大规模集成电路的方法
119
晶片的制造方法、使用了该晶片的半导体器件及其制造方法
120 球格阵列封装体
121 半导体功率器件
122 侧吹式散热装置
123
阵列型焊垫晶片内部电路结构及其制造方法
124 半导体装置及其制造方法
125 半导体装置及其制造方法
126 半导体元件的熔丝结构
127 用于隔离多孔低K介电薄膜的结构和方法
128
覆盖有金属阻障层的内连线结构及其制作方法
129 IC芯片破损少的薄型高频模块
130
半导体装置及其制造方法、线路基板及电子机器
131 双侧连接型半导体装置
132 具有部分SOI结构的半导体器件及其制造方法
133 半导体器件
134 半导体器件及其制造方法
135
应用于可变容量电容器和放大器的半导体器件
136
一种高耦合率快闪存储器及其制造方法
137
使用金属接触板的嵌入式非挥发性存储器
138 使用了部分SOI衬底的半导体器件及其制造方法
139 光模块、电路板及其电子机器
140
具有面板的平板显示器件及其制造方法
141 绝缘栅型双极晶体管
142
具有纵向金属绝缘物半导体晶体管的半导体器件及其制造方法
143 发光元件及其制造方法
144 层叠型压电陶瓷元件的制造方法
145 磁开关元件和磁存储器
146
含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法
147 晶片热处理的方法和设备
148
利用快速热退火与氧化气体形成底部抗反射涂层的方法
149 芯片尺度表面安装器件及其制造方法
150 半导体器件及方法
151 半导体器件及其制造方法
152 电声转换器
153
注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法
154 形成微细尺寸结构的方法
155
利用弹性体电镀掩模做为芯片级封装的方法
156
半导体晶片表面保护粘结膜及使用其的半导体晶片加工方法
157 芯片及其制造方法
158 使用解理的晶片分割方法
159
利用非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的方法
160 高深宽比硅深刻蚀方法
161 金属镶嵌制程的去除光阻的方法
162 在氮化硅层上形成氮氧化硅层的方法
163 抗光阻去除液侵蚀的氧化膜形成方法
164
选择外延法制造源漏在绝缘体上的场效应晶体管
165 制造半导体封装件用打线方法及系统
166 芯片元件供给装置
167 晶圆级探针卡及其制造方法
168
晶圆级测试卡的探针构造及其制造方法
169 芯片管脚名称验证方法
170 复晶矽/复晶矽电容的制造方法
171 复晶矽/复晶矽电容的制造方法
172 在铜镶嵌制程中形成金属-绝缘-金属型(MIM)电容器的方法
173 体硅MEMS器件集成化方法
174 浅沟槽隔离物的制造方法
175
一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法
176
镶嵌式内连导线上形成选择性铜膜的制造方法
177
降低内连线的电浆制程的异常放电的方法
178
基于等效电路的集成电路电源网络瞬态分析求解的方法
179
高密度平坦单元型的罩幕式只读存储器制造方法
180 模塑封装接触式模块制作方法
181 散热模组及其制造方法
182
晶圆型态扩散型封装结构及其制造方法
183 电子器件
184 半导体装置
185
互补金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法
186 可随机编程的非挥发半导体存储器
187 半导体器件及其制造方法
188 半导体器件及其制造方法
189 半导体器件及其制造方法
190 半导体装置及半导体装置的制造方法
191
降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法
192
利用金属诱导横向结晶的多栅薄膜晶体管及其制造方法
193
准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法
194
硅光电器件以及利用这种器件的发光设备
195 一种太阳能转换多结极联光电池
196 Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件
197
一种低成本压电多层微位移器及制作方法
198 绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法
199
以磷掺杂硅并在蒸汽存在下生长硅上氧化物的方法
200
用于焊料结合中焊料扩散控制的方法和装置
201 具有氧化物领状体应用的STI的本地和异地腐蚀工艺
202 具有表面金属敷层的半导体器件
203 双极型晶体管
204 半导体器件
205 基于LED的发射白色的照明单元
206 半导体装置的制造设备
207 处理液配制和供给方法及装置
208 栓钉插入装置及其方法
209
保护膜图案形成方法以及半导体器件制造方法
210 图案形成方法
211
半导体器件制造方法和半导体器件制造装置
212
切割保护带条的方法及使用该方法的保护带条粘贴设备
213
保护带条的粘贴方法与装置以及保护带条的分离方法
214 裂开材料晶片各层的工艺
215
内存测试机与集成电路分类机的直接连接界面装置
216
一种晶圆阶段记忆体预烧测试电路及其方法
217 半导体器件的测试系统
218 半导体器件的元件隔离膜的形成方法
219
一种消除化学机械研磨碟化效应的内连线制造方法
全套专利技术光盘仅售380元 |