|
半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术29
001 接合头及部件安装装置
002 沸腾冷却装置
003
级联连接多个二极管构成的半导体器件
004 半导体装置及其制造方法
005 半导体器件及其制造方法
006 半导体存储器
007 图像拾取设备
008 存储器一体型显示元件
009
点接触平面栅型单电子晶体管及其制备方法(二)
010
点接触平面栅型单电子晶体管及其制备方法(一)
011 半导体器件及其制造方法
012 半导体装置及其制造方法
013 半导体装置及其制造方法
014 半导体器件及其制造方法
015
薄膜晶体管及其制造方法和包括该晶体管的半导体器件
016
使发光二极管产生白色光的方法及装置
017 一种微型显示器件及其制作工艺
018 发光器件和制造该器件的方法
019
硅晶片的加强材料和利用这种材料制造集成电路芯片的方法
020 多孔SOG膜的制备方法
021
制备功率整流器装置以改变操作参数的方法及其制得的装置
022 具有硅－锗(Sii－x－Gex
023 信息处理结构体
024 半导体器件及其制造方法
025 光源装置
026
侧发射型半导体光发射器件及其制造方法
027 磁电转换元件及其制造方法
028
光掩模、其制造方法、图形形成方法及半导体装置的制造方法
029 Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法
030
一种在半导体基底上形成自行对准的接触窗结构的方法
031
气体喷射器以及包含该喷射器的蚀刻装置
032
在低温下对硅表面氧化物的去除和外延生长方法
033 制造半导体装置的方法及半导体装置
034 凸块制作方法
035
制造用于半导体装置的圆柱型电容器的方法
036 半导体装置
037
电源半导体模块和容纳半导体模块的冷却元件
038 导热管集热端
039 半导体器件及其制造方法
040
电荷泵电路和使用它的非易失性存储器的工作方法
041 具有冗余系统的半导体存储器件
042
半导体集成电路器件以及使用它们的电子装置
043 动态触发器
044 半导体集成电路装置及其制造方法
045
含有单独的晶体三极管的存储器器件及其操作与制造方法
046 发光二极管
047 改进的用于支撑晶片的梯形舟
048
多晶半导体薄膜衬底及其制造方法、半导体器件和电子器件
049 制造晶体管的方法
050 半导体晶体的制造方法
051 半导体器件和设计掩模的方法
052 部件及其制造方法
053 静电吸盘和处理装置
054 印刷线路板传送装置
055 半导体存储元件的制造方法
056
半导体器件、电子装置的制造方法、电子装置和携带式信息终端
057 SiGeC半导体结晶及其制造方法
058 半导体晶圆干燥方法
059
近环绕闸极及制造具有该闸极的矽半导体装置的方法
060 半导体装置和制造半导体设备的方法
061 半导体芯片装置及其封装方法
062
非着陆制作工艺及光学逼近修正光掩模图形的产生方法
063 半导体设备
064 半导体装置
065 金属－绝缘－金属场效应管
066
一次可编程半导体非易失性存储器件及其制造方法
067 一种高亮度蓝光发光晶粒的结构
068 加热和冷却薄片形制品的热处理室
069
从聚碳硅烷形成的低介电常数聚有机硅涂料
070
电子器件中有机介电薄膜集成化时使用硅氧烷介电薄膜的工艺
071 集成电路中自调准Cu扩散阻挡层的制造方法
072
为快速擦写存储器装置的多晶硅提供掺杂质浓度的方法
073 修改集成电路的方法
074 压电陶瓷执行元件及其制造方法
075 有机电致发光装置
076 图形形成方法
077 IC测试处理机的IC输送程序及其装置
078
评定多晶硅的方法和系统及制造薄膜晶体管的方法和系统
079
铁电存储器集成电路的高质量铅锆钛酸盐膜的制造工艺
080 使用磁化导热液体的散热器
081 半导体模块及其制造方法
082
引线框及使用该引线框的树脂密封型半导体装置制造方法
083 半导体器件及其制造方法
084 互补非易失性存储电路
085 半导体存储装置
086
双位元非挥发性存储单元的结构及其读写方法
087 半导体装置及其制造方法
088 一种基于Ⅲ族氮化物异质结构极化效应的高响应光电探测器
089 半导体器件及其制造方法和喷液设备
090 量子型光电晶体管
091 半导体和钛酸钡p－n结
092 半导体和钙钛矿结构氧化物p－n结
093 半导体和锰酸镧p－n结
094 用于半导体晶片的夹持装置
095
化学机械研磨用研磨剂及基板的研磨法
096 化学机械研磨用研磨剂及研磨方法
097 具有增大栅耦合电容的集成电路
098 化学惰性的兆赫声波换能器系统
099 压电式弯曲变换器
100 一种半导体生产系统
101 高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法
102
生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
103
一种于一硅覆绝缘层上形成掺杂区的方法
104 半导体器件的制备方法
105
制造功率整流器件以改变工作参数的改进方法及所得器件
106 一种微小芯片倒扣工艺技术
107
制作在硅晶片上的薄膜无源元件的包装方法
108 一种层间介电层平坦化的方法
109 压触式半导体器件
110 与安装基片有可靠连接的半导体器件
111
基于二极管和阴极导电性以及阴极发光的数据存储介质
112 全耗尽型集电极硅绝缘体双极晶体管
113
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
114 半导体器件以及显示装置
115 太阳能电池及其制造方法
116 提高金属电极反射率的方法
117 GaN基Ⅲ－Ⅴ族氮化物发光二极管及其制造方法
118
发光单元、发光单元组件和用多个该单元生产的照明装置
119 半导体发光元件
120
片式压电变压器连续极化的方法及其装置
121 磁阻效应元件及其制造方法
122 薄膜形成装置和薄膜形成方法
123 半导体装置的制造方法
124 自适应等离子体表征系统
125
制造绝缘层上硅的金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
126
在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法
127
高准确度及灵敏度霍尔感测元件及集成电路的封装方法
128 去封装芯片的测试装置
129
埋入式非易失性半导体存储器单元的制造方法
130
包含非易失性半导体存储器的半导体集成电路装置的制造方法
131 发光二极管的散热结构
132 多层金属电源/接地总线的布局结构
133
导线框、使用该导线框的半导体装置及其制造方法
134 半导体集成电路及其制备方法
135 降低电气杂讯的球阵列封装装置
136 封装的集成电路
137 半导体装置及其制造方法
138 发光器件
139
半导体器件、电路衬底、光电装置和电子设备
140 半导体装置及其制造方法
141 太阳能电池及其制造方法
142 发光二极管及其制造方法
143 改善有机蒸发镀膜成膜性能的方法
144 用于半导体处理的气体分配设备
145
用于降低半导体晶片中的波纹性的方法
146
用于蚀刻碳掺杂有机硅酸盐玻璃的方法和装置
147
具有存储单元、逻辑区域和填充结构的半导体存储元件
148 金属－绝缘体－半导体场效应晶体管
149
多波长发光装置、电子设备以及干涉镜
150
用直流电等离子聚合在金属表面连续形成聚合物的设备
151 III－V族化合物半导体晶体结构及其外延生长方法和半导体器件
152 预清室的微粒防止方法
153 预清室的硅化物清除方法
154
气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
155
可获得纳米栅的高电子迁移率晶体管制作方法
156 用于固定插针的针块结构
157
低压力衬里的浅沟隔离元件的制备方法
158
铜导线在下层之内连线的双镶嵌的制造方法
159 顶部导体包层的制造方法
160 一种内在并行的二维离散小波变换的VLSI结构的设计方法
161 具有散热结构的半导体封装件
162 用于半导体和功率模件的绝缘衬底板
163 具有内嵌式散热块的半导体封装件
164 引线架
165 树脂密封型半导体装置及其制造方法
166 半导体装置及其图案布线方法
167 半导体器件及其制造方法
168 非易失性半导体存储装置
169 图象摄取装置
170 固体摄象装置
171
具有绝缘栅型双极晶体管的半导体器件及其制造方法
172 高压P型MOS管及其制备方法
173 薄膜晶体管基片及其制造方法
174 分子隧道二极管及其制造方法
175 半导体器件及其制造方法
176 多重光源发光装置
177
用烷基硅氧烷低聚物和臭氧化学气相沉积氧化硅薄膜
178
用于诸如微处理器这样的集成电路的支座底板
179 薄膜晶体管及其制造方法
180
利用分开的介电浮栅的新型易收缩非易失性的半导体存储单元及其制造方法
181 用于控制至少一个电容调节器的装置
182
使用化学机械抛光精加工用于接合的晶片的装置和方法
183 激光加工方法及其设备
184 互补掩模对的制造方法
185 晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法
186 一种制造半导体器件的方法
187 制造半导体器件的方法
188 测试嵌入式模拟/混合信号磁心的方法和结构
189 半导体装置与其图案设计方法
190
低压模式且经通道擦写的快闪存储单元及其制作方法
191 悬吊式电子装置构造
192 金属基座半导体
193
用于冷却发热元件的冷却装置和包括有冷却装置的电子设备
194
用于降低集成电路的压降的具有多重狭长带的外部电源环
195 具有精确导体的互连结构
196
适用于静电放电防护的电压控制元件及其保护电路
197 单片式微波集成电路及其制造方法
198 半导体装置与其图案设计方法
199 存储器件的制造和装配结构及方法
200 嵌入式快闪存储器及其操作方法
201
双位沟槽式栅极非挥发性快闪存储单元及其操作方法
202 半导体装置及其制作方法
203 半导体装置和其制造方法
204
具有蓝光发光单元以及含硒化锌的覆盖部的发光元件
205
一种镀有金属反射镜膜基板的发光二极管及其制造方法
206
高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法
207 压电变压器
208
基底、载物台装置、载物台驱动方法和曝光装置及曝光方法
209 无凹陷铜镶嵌结构的制造工艺
210 半导体器件用的保护层
211
具有铟热偶的电子组件的构造方法及具有铟热偶的电子组件
212
使用晕圈植入而制造半导体装置的方法及系统
213
双极金属氧化物半导体场效应晶体管器件
214
发光或者受光用半导体组件及其制造方法
215
发光或者受光用半导体器件及其制造方法
216
具有改进的发光效率和辐射率的长效聚合物发光装置
217 三族金属氮化物元件的制造方法
218 CVD方法
219 用于降低氮化物消耗的聚集体介电层
全套专利技术光盘仅售380元 |
|