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半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术02
001
大面积换能器阵列的静电放电保护网络
002 集成电路制造方法
003
在半导体功率元件的半导体薄片边缘上开环形槽的方法
004 集成双板晶体管的集电极接触
005
至少包括一个双极平面型晶体管的单块集成电路的制造方法
006 半导体器件
007 源漏掺杂技术
008 外引线带的自动焊接法
009 半导体直接键合的表面处理方法
010
太阳能收集器中与初级聚光器配合使用的光电池罩
011 具有混合氧化物绝缘体的二极管
012 半导体装置
013 功率半导体器件的电极引出技术
014 热敏元件及其制造方法
015 减少封装应力制造半导体器件的方法
016 超导器件
017
可大批量传送半导体衬底用的全罩式装载器具（舟）
018
双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺
019 高温超导检波器
020 提高场效应晶体管柱绝缘性的方法
021 多栅极薄膜晶体管
022
具有若干导电线路供传输高速信号用的电路
023 超导半导体器件
024 大功率可控半导体元件
025 硅薄膜区熔再结晶的防气化覆盖层
026 超导器件
027 快速响应的热电偶元件
028 互补横向绝缘栅整流管
029 利用ＣＭＯＳ工艺制造双极型晶体管
030 太阳能电池
031
具有多层超导结构的电路及其制造方法
032 制造半导体元件的方法
033 硫化铅多晶薄膜的激光敏化方法
034
具有一连续渐变带隙半导体区域的半导体器件
035 硅器体化学镀镍与化学腐蚀工艺
036
具有多层薄膜迭合的半导体层的薄膜光电电动势元件
037 半导体器件
038 一种半导体器件互连制造方法
039 半导体元件制造工艺
040 半导体电路不稳定性解决效率提高
041 门关断闸流晶体管及其制造方法
042 绝缘材料上的静电__象的无损读出设备和方法
043 半导体电压控制变容器
044 液晶显示元件的测试方法
045 超导陶瓷图案及其制造方法
046 一种等离子阳极化方法
047 在低温中应用含磷平面掺杂源
048 互补绝缘体外延硅横向绝缘栅整流管
049 动态随机存取存储单元及其制造方法
050 半导体器件及其制造方法
051
用四氮化三硅涂层制造太阳电池的方法
052 包括多个敏感同轴元件的压电换能器
053 新型半导体基础材料
054 高效太阳能电池
055 电荷耦合器件
056 一种顶部基片连接的CMOS集成电路及其制造方法
057 焊线
058 制作超导图案的方法
059 单温区开管扩镓生产晶闸管工艺
060 非晶硅光位置敏感器件
061 采用超导材料的电子器件
062
制作ＣＭ０Ｓ集成电路的注入井和岛的方法
063 电荷耦合器件
064
用带式自动焊接法焊接的半导体芯片管壳
065 半导体功率元件
066 用于电钝化集成电路的一种布局
067 超导器件及其制造
068
具有一个空间调制本征层的薄膜太阳能电池
069 磷化镓液相外延方法及装置
070
用于制造超导氧化物材料的溅射装置及方法
071
用于化合物半导体的薄膜层的生长方法
072 非晶硅太阳电池背电极的刻蚀方法
073 一种台面半导体器件钝化工艺及设备
074 硅低温掺氟氧化方法
075 半导体元件及其制造方法
076 电路元件
077 半导体直接键合的工艺方法
078 一种高发光效率的磷化镓外延材料
079 可燃性气体敏感元件
080 制备叶绿素光伏电池工艺
081
可切断的半导体器件及带有此器件的电路布置
082 ＭＯＳ电路的保护装置
083 可关断半导体器件
084 共地化半导体器件封装件的制造方法
085 非晶态硅碳氢钝化工艺
086 燃气热电磁控安全阀探测器材料
087 半导体器件及其制造方法
088
在半导体片表面具有金属导线迹的半导体器件的制造方法
089
按图案制造氧化物超导材料薄膜的方法
090
ＣＭＯＳ器件用硅片的缺陷控制和利用工艺
091 用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法
092
可关断的大功率半导体元件及其制造方法
093 半导体异质结构
094 用红外线炉制造铜厚膜导体的方法
095
复合氧化物超导薄膜或线材及其制造方法
096
场效应控制的双极型功率半导体器件及其制造方法
097 厚膜超导电子器件及其制造方法
098 热电变换器及其制造方法
099 光生伏打装置及其制造方法
100 两极管钼－铜引线的制作方法
101
对半导体材料进行热处理的工艺和设备
102 离子注入掺杂区域平面显示方法
103 镓在硅台面管生产中的应用技术
104 氢敏半导体器件及其制造方法
105 晶片托架
106
大功率闸门电路断开的可控硅及其制造方法
107 电荷耦合器件
108
生产串联连接的薄膜太阳电池阵列的方法
109 掺铟混晶锌扩散源
110 改进的溶液生长硅薄膜的方法
111 半埋栅静电感应晶体管(SIT)的制造方法和器件
112 ＣＭＯＳ／ＮＭＯＳ集成电路
113 偏锡酸锌酒敏元件的制作
114 一种固态开关器件
115 铁电陶瓷材料
116 铁电陶瓷材料
117 嵌入数字门阵列中的模拟宏功能
118 集成电路的保护结构
119 一种微区敷膜技术与装置
120
采用陶瓷超导元件的逻辑器件和存储器件
121 一种金属氧化物半导体场效应晶体管
122
半导体器件的制造方法－其中在淀积金属的过程中形成金属硅化物
123 半导体器件制造方法
124 一种制造太阳能电池接触的改进方法
125 磷化镓发光二极管电极制备工艺
126 形成功能沉积膜的方法
127
放大压电元件位移的装置及制造这种装置的方法
128 电气器件及其制造方法
129 垂直双极晶体管
130 一种延长功率晶体管寿命的工艺
131 高压垂直扩散场效应管及其制法
132 超电导晶体管
133
ＣＭＯＳ晶体管和单电容动态随机存取存储单元及其制造方法
134
电气器件及其利用等离子体加工的制造方法
135
埋层阻档式多孔硅氧化形成硅隔离结构的方法
136 半导体组件及采用这种组件的计算机
137 压电致动器
138 可控功率半导体元件
139 制造太阳能电池阵列的方法
140 为非平面型半导体器件形成顶部接触
141 可关断的半导体元件
142 功率器件的自对准电报
143 异质结双极晶体管
144 制造太阳能电池阵列的方法
145 一种制造半导体器件的方法
146
无应变、无缺陷的外延失配异质结结构及其制备方法
147 一种制造可关断晶闸管的方法
148 电子器件的制造方法
149 非易失性存储器及其制造方法
150 基座及其制造方法
151
环形三迭片压电超声振子及用其钳位的超声微动马达
152 热电偶组件及其制造方法
153 半导体器件
154 载流子寿命的轴向调节方法
155 具有抗反射层的叠层光生伏打器件
156 半导体器件及其制造方法
157 提高功率晶体管间歇寿命的工艺
158 偏锡酸锌丁烷气敏元件的制作方法
159 耐高电压的场效应功率晶体固体组件
160 半导体器件的制造方法
161 铟锡氧化物薄膜的腐蚀方法
162 超大规模集成电路静态随机存储器
163 制造太阳能电池阵列的方法
164 碳化硅超快速高温整流二极管
165 碳化硅中形成蓝光发射二极管
166 宽势阱半导体光电器件
167 电源集成电路抗负载电压冲击的保护
168
感湿体为致密陶瓷的湿敏元件制造方法
169 Ⅱ-Ⅵ族膜衬底蚀孔结构及加工方法
170 集成电路电源脚的重新排列
171 叠层型陶瓷元件及其制造方法
172 常温半导体气体敏感元件的制备
173 螺栓型晶闸管制造方法
174
一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构
175 压电陶瓷元器件电极的生产工艺
176 隧道型约瑟夫森器件及其制造方法
177 半导体集成电路中的内电压变换器
178 一种三维磁矢敏感器及其制造方法
179
增强塑料封壳对含铜引线底板的附着力的方法
180 制造超导制品的方法
181 光敏半导体器件
182 具有低阻薄层衬底结构的高压硅管
183
电荷耦合器件含有该器件的图像传感器装置及装有该装置的摄象机
184
光发射或接收装置、光发射或接收元件用的密封剂其封装方法
185
电子部件、电子部件的封装剂以及封装方法
186 外延沉积
187
集成电路的制作方法及实施该方法的装置
188 平面型约瑟夫逊器件
189 氢敏元件及制造法
190 含有辐射敏感元件的半导体器件
191 光电混合集成半导体光双稳器件
192
制备选择晶体生长基片的方法，选择晶体生长方法和利用该方法制备太阳电池的方...
193 采用吸附扩散源的掺杂方法
194 光致电压器件及其制造方法
195 光电池组件的喷涂封装
196 一种金属-半导体埸效应晶体管
197
透明导电膜以及采用这种透明导电膜的交流粉末型场致发光显示板和液晶显示器
198
设置在载体上的超大规模集成芯片的设计系统以及由该系统设计的模块
199 热电池
200 ＭＯＳ集成电路防静电保护器
201
用于晶体生长的碳化硅表面的制备方法
202 整片串联和并联的光电组件
203 硅半导体器件用硅片的缺陷控制工艺
204 生产扭矩传感器轴的方法
205
双极型和互补金属氧化物半导体晶体管
206 选极晶体管
207 固态、量子力学电子和空穴波器件
208 非晶硅光电池片及其制造法
209 母片式半导体集成电路
210
精密正向特性二极管互换组件及制造方法
211 互连结构
212 铁电陶瓷
213 高密度动态随机存取存储单元
214 制作超导图案的方法
215 一种利用NPN晶体管锁闩电压的横向PNP晶体管
216 集成电路隔离工艺
217
干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构
218 半导体器件的制造方法
219 光发射或接收装置及其制作方法
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