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半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术01
001
离子注入半导体瞬时退火设备
002 台面半导体器件玻璃钝化工艺
003 改性铌酸铅钡钠压电陶瓷材料
004 钛酸铋钠钡系超声用压电陶瓷材料
005
具有金属反射腔的半导体平面发光器件
006 用于制造半导体器件的装置
007
薄膜型二氧化锡气敏元件及其制造方法
008 电子器件的制造方法
009 半导体集成电路器件及其制造工艺
010 含有各种不同容量电容的集成电路
011 半导体器件
012
在一块半导体晶片上涂盖一层感光材料的方法及装置
013 金属氧化物半导体绝缘工艺
014 金属－氧化物－半导体后部工艺
015 制造半导体器件的方法
016 集成电路气密封装法
017 全温区工作的硅晶体管的制造技术
018 功率器件的封装方法
019 高热稳定性的功率器件的封装方法
020 一种制造电子器件的方法
021 耐热薄膜光电转换器
022 多结半导体器件
023 具有改善群延时特性的压电谐振元件
024 互补半导体器件
025 制造设备
026 水平结构晶体管及其制作方法
027 等温功率晶体管的制作工艺
028 双极异质结晶体管及其制造方法
029 半导体集成电路器件及其制造方法
030 制造半导体集成电路的隔离方法
031 缓变晶格外延层的生长
032 两色分波硅彩色传感器
033 半导体集成电路器件
034 具有埋置接点的集成电路制造工艺
035
防止铁电陶瓷器件相变开裂的处理方法
036 太阳能电池密封组件的结构
037 电子器件及其制造方法
038
金属层制版印刷术中作抗反射涂层用的无定形硅
039 含氟的P型掺杂微晶半导体合金及其制造方法
040 半刚性光电模块组件及其结构支撑
041 制造半导体集成电路器件的方法
042 半导体器件
043 变折射率薄膜的单源真空沉积法
044 太阳能重复发电的方法与装置
045
一种双层结构的低压化学蒸汽淀积外延炉管装置
046 复合热释电红外探测器
047
一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭工艺
048 电子器件的封装
049
硅基底上附有热熔粘合剂的集成电路硅小片复合物的制做方法
050 塑料封装的半导体器件
051 台面型半导体器件的制造方法
052 气载掺杂剂掺杂非晶硅方法
053 制备半导体化合物薄膜的射频溅射法
054
用于无掩模被覆金属方法的扩散隔离层
055
改进的硼掺杂半导体材料及其制备方法
056 太阳电池相互电连接的方法
057 薄膜晶体管的制作方法
058 半导体器件及其生产方法,以及上述工艺所用的引线框架
059
高密度互补型金属氧化物半导体集成电路制造工艺
060 半导体发光器件的发射腔及其工艺
061 高抗干扰HP-MOS系列集成电路
062 半导体器件
063 双极晶体管
064 杂质的扩散方法
065 电荷耦合器件
066 液晶显示板及其制造法
067 双极晶体管
068 半导体汽化冷却装置
069 二维磁矢量磁敏器件
070 半导体器件及其制造法
071 具有聚光反射器的光电池阵列
072
在量子阱器件中的磷势垒和高磷多磷化合物势垒
073 具有冷却装置的半导体组件
074 硅圆片的加强材料
075 半导体工艺
076
采用氮族元素聚合物半导体的薄膜场效应晶体管
077
具有能在集成电路中集成的霍耳元件的装置
078
具有能在集成电路中集成的霍耳元件的装置
079 半导体器件
080 半导体器件及其制造方法
081 动态随机存取存贮器单元(dRAM)和生产方法
082 制造高灵敏度光敏三极管的方法
083 光电池
084 半导体装置的导线材料
085 半导体芯片附着装置
086 半导体器件
087 半导体器件的制造方法
088 在材料(例如半导体材料)中加工亚微型槽的方法以及用这种方法制成的器件
089 高密度动态随机存取存储器(RAM)的槽式电容器的制造方法
090 应力和温度补偿声表面波器件
091 晶体管
092 半导体器件及装置
093
在光电器件中为波导所用的磷族元素化物的膜
094
半导体集成电路和为其设计电路图形的方法
095 带动态控制的电荷耦合半导体器件
096 半导体器件及其制造方法
097
在硅衬底上形成隔离硅区和场效应器件的工艺过程
098 电缆
099 湿敏元件及其制造法
100 有自测试能力的超大规模集成电路
101 光敏PN结侧向注入电器件的间接耦合方法
102 抗辐射半导体器件
103 半导体器件
104 前截止热释电探测器
105 带有MIS(金属-绝缘体-半导体)_集成电容器的单片集成电路
106
对模糊现象不敏感的图像传感器及其制造方法
107 用在数字式电子仪器方面的集成电路
108 厚膜电路用配方
109 太阳电池装置
110
用反应气体淀积的材料制作半导体器件的方法及其设备
111 增加有效面积的光电池
112 稳压二极管
113 具有控制电极的半导体器件
114 包含互补场效应晶体管的集成电路
115
在局部提供凹陷氧化层的硅半导体器件制造方法
116
电子线路器件的封装及其制造方法和设备
117 具有金属涂料接头的太阳电池
118 单块数字集成电路
119 绝缘体结构上的硅互联埋层
120 半导体器件的制造方法
121 可控制接通的硅可控整流器
122
利用氟化气体混合物进行硅的等离子体蚀刻
123
减少双极器件的管道漏电和表面漏电的方法
124
化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法
125 光生伏打器件及其制造方法
126
在半导体衬底材料接触区制作电接触的方法
127 半导体器件
128 用于数字化电子设备的集成电路器件
129 闸门电路断开可控硅
130
半导体三极管发射结反向过电压保护电路和有保护能力的可调直流稳压电源
131 光电型器件及其制造方法
132 双注入场效应晶体管
133 从衬底上去除薄膜的气态方法和设备
134 压电陶瓷元件之制备方法
135 富含镉的Ｈｇ1-xＣｄxＴｅ的薄层异质结光电池和Ｈ...
136 光电池组的二极管旁路保护装置
137 光电池板
138 制做光电组件的装置
139 具有倾斜外围电路的集成电路器件
140 一种改进的锑化铟多元列阵器件工艺
141
整个半导体层无电气缺陷的半导体器件及其制造方法
142 二维电子气发射极半导体器件
143 半导体器件的制造方法和系统
144
带有埋置绝缘氧化物区的金属氧化物半导体晶体管制作方法
145 MOS_场效应晶体管的栅压温度筛选方法
146
在沟槽电容器结构上具有一单晶晶体管的动态存贮器器件及其制造方法
147 用于算术运算和显示的集成电路
148 半导体集成电路/系统
149 半导体阀门
150
掺杂剂均匀分布的固体摄像器及其制造方法
151 等离子体处理装置
152
用于化合物半导体的薄膜层的生长方法
153 光电动势元件及其制备工艺和设备
154 二氧化锡膜溶解法
155 光电转换器及其制造方法
156 高跨导高厄利(Early)电压模拟(M0S)晶体管
157 高速响应光电转换器及其制造方法
158
超大规模集成电路的局部互连方法及其结构
159 高清晰阳极化的内层界面
160 电荷耦合器件
161 垂直倒相器电路
162 半导体器件的制造方法
163 太阳能电池阵列
164
一种多晶硅自对准双极器件及其制造工艺
165 光电转换器件的制造方法
166
应用侧壁及去除技术制做亚微米掩模窗口的方法
167 薄膜晶体管
168
用等离子体增强的化学气相沉积法沉积垂直方向电阻的方法
169 半导体致冷的环块电堆
170
用阳极化硅内层的开槽和氧化形成的半导体隔离
171 半导体器件的制造方法
172 碳化硅(SiC)二极管温度传感器
173
图象读取光检测器及其制作方法和装置
174 抛光法U形槽隔离技术
175 半导体集成电路板的冷却设备
176 溴强腐蚀混合源抑制自掺杂硅外延
177 消除半导体层制造缺陷的方法
178 微电子电路的接合方法
179 光学传感器
180 耐热塑料半导体器件
181 高速硅光敏三极管
182 太阳电池组件
183 半导体器件
184 可集成的霍尔元件
185 半导体器件及其制造方法
186 电光器件及其制造方法
187 电阻--氧化物--半导体场效晶体管
188 固体象感器
189 深区PN结二极管
190 在多晶硅上具有平滑界面的集成电路
191 半导体器件的制造方法和系统
192 半导体器件
193 半导体器件
194 半导体器件的制造方法和系统
195
聚焦误差检测系统及光读出和／或写入设备
196
散热性能改善了的大规模集成电路封装
197 集成电路绝缘工艺方法
198
配制液态掺杂剂稀溶液的气体载运方法及其装置
199 多层外延砷化镓的双源法和装置
200 消分馏的方法和装置
201 发光二极管表示灯泡
202 压接触ＧＴＯ－可控硅整流器
203 有架空旁路层的金属--半导体场效应管及制造方法
204 热电型红外探测器
205 反向工作的晶体管偶合逻辑
206 动能调制热电子晶体管
207 半导体器件及其制造方法
208 硅平面型功率晶体管管芯制造方法
209 超低温烧结PNN压电陶瓷及其制造工艺
210 在半导体圆片的边缘制造斜面的方法
211
薄固体膜片组成的层状结构的局部混合
212 半导体元件
213 制造快速晶闸管的扩金新工艺
214 栅控半导体四极管
215 一种半导体硅元件的芯片支承体
216 半导体器件的制造方法
217 P+n二极管银凸点电极无胶电镀
218 电子器件及其制造方法
219 整体式热导管组件
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